半导体缺陷与载流子传输特性同步分析新技术

本站讯 半导体广泛应用于存储芯片和太阳能电池等器件中，其内部可能存在肉眼不可见的缺陷，这些缺陷会干扰电流流动。

据外媒报道，韩国科学技术研究院（KAIST）宣布，由其材料科学与工程系Byungha Shin教授和IBM T. J. Watson研究中心的Oki Gunawan博士领导的联合研究团队开发了一种新的测量技术，可以同时分析半导体内部阻碍电传输的缺陷（电子陷阱）和载流子传输特性。

图片来源： KAIST